| |
|
Selektivní hydrogenace grafenu připraveného metodou chemické depozice z plynné fáze
Kovařík, Štěpán ; Nováček, Zdeněk (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Kontrolované otevírání pásu zakázaných energií v grafenu je jednou z dovedností nutných pro aplikaci grafenu v elektronice. Jednou z možností jak otevřít pás zakázaných energií je hydrogenace grafenu. V této práci se zabýváme lokální hydrogenací grafenu vyrobeného metodou depozice z plynné fáze na Si/SiO2 substrátu. Hydrogenace byla prováděna zdrojem atomárního vodíku. Pro lokalizaci hydrogenace jsme využili polymetylmetakrylátovou masku připravenou pomocí elektronové litografie. Přítomnost struktur tvořených hydrogenovaným grafenem jsme prokázali Ramanovou spektroskopií, Kelvinovou silovou mikroskopií a lokálním měřením elektrické vodivosti. Všechny tři metody potvrdily lokální hydrogenaci grafenu.
|
|
Vodíkem modifikované grafenové struktury pro polem řízené tranzistory
Kurfürstová, Markéta ; Čermák,, Jan (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje problematice grafenu modifikovaného atomárním vodíkem a jeho transportních vlastností. V rámci rešeršní části práce jsou porovnány strukturní a elektronické vlastnosti grafenu a hydrogenovaného grafenu. Je popsána metoda Ramanovy spektroskopie, včetně charakterizace spekter obou zkoumaných struktur. Použité vzorky jsou vyrobeny pomocí laserové a elektronové litografie a uzpůsobeny měření ve vakuové komoře. V rámci experimentální části práce jsou proměřeny transportní vlastnosti grafenu před a po modifikaci vodíkovými atomy. V závěru je hydrogenovaný grafen ozářen elektronovým svazkem a pomocí Ramanovy spektroskopie jsou sledovány změny v jeho struktuře.
|
| |
|
Selektivní hydrogenace grafenu připraveného metodou chemické depozice z plynné fáze
Kovařík, Štěpán ; Nováček, Zdeněk (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Kontrolované otevírání pásu zakázaných energií v grafenu je jednou z dovedností nutných pro aplikaci grafenu v elektronice. Jednou z možností jak otevřít pás zakázaných energií je hydrogenace grafenu. V této práci se zabýváme lokální hydrogenací grafenu vyrobeného metodou depozice z plynné fáze na Si/SiO2 substrátu. Hydrogenace byla prováděna zdrojem atomárního vodíku. Pro lokalizaci hydrogenace jsme využili polymetylmetakrylátovou masku připravenou pomocí elektronové litografie. Přítomnost struktur tvořených hydrogenovaným grafenem jsme prokázali Ramanovou spektroskopií, Kelvinovou silovou mikroskopií a lokálním měřením elektrické vodivosti. Všechny tři metody potvrdily lokální hydrogenaci grafenu.
|
|
Vodíkem modifikované grafenové struktury pro polem řízené tranzistory
Kurfürstová, Markéta ; Čermák,, Jan (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje problematice grafenu modifikovaného atomárním vodíkem a jeho transportních vlastností. V rámci rešeršní části práce jsou porovnány strukturní a elektronické vlastnosti grafenu a hydrogenovaného grafenu. Je popsána metoda Ramanovy spektroskopie, včetně charakterizace spekter obou zkoumaných struktur. Použité vzorky jsou vyrobeny pomocí laserové a elektronové litografie a uzpůsobeny měření ve vakuové komoře. V rámci experimentální části práce jsou proměřeny transportní vlastnosti grafenu před a po modifikaci vodíkovými atomy. V závěru je hydrogenovaný grafen ozářen elektronovým svazkem a pomocí Ramanovy spektroskopie jsou sledovány změny v jeho struktuře.
|